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Die Halbeiter -keramik -Substratbeschichtungsausrüstung übernimmt Das Prinzip des Sputterns mit Hohem vakuum -elektofeldplasma, injizert e. Wirkung von Hochspannung. Diese energierenden argonionen werden bedrchleunigt und das zielmaterial in der richtung bombardieren, so Dass der atome auf der oberflächen des zielmaterials aus "augesputschen" und gleichmäß die oberflächen, wesood der oberflächen Kuffer-metal-Verbundsschicht-Mit-Einer Dichten Striktur und Einer Starken Haftung Bildet.
HALBLEATICER -KERAMIK -SUBSTRATBECHICHTUNGSAUSRUSTUNG ist ein WesentLicher vorverbindung in der DPC-Keramik-Substratverarungungstechnologie und Legt Eine Solide Grundlage für die nachfolgende schaltungsstellung, Die Grafische Integration der Funkionel-Integration. Durch hochpräzise Metallschichtabscheidung erreicht das Keramik-Substrat nicht nur eine hervorragende Leitfähigkeit, sondern weist auch eine stärkere thermische Stabilität und mechanische Festigkeit auf, wobei die strengen Anforderungen von High-End-Anwendungen wie 5G-Kommunikation, AutomobileKtronik und Stromversorgungsmodule für Die Leistung von Substrat Vollständig Erfült Werden.
Wähhrend des Abscheidungsprozesses der Metallschicht Beeinflussen Alleverreinigungen Ernsthaft Die Stabilität, Die Elektrischen -Eigenschaft und die Adhäsion der Abgelagenerten Schicht. DAHER IST DIESE SEUSRÜSUSTUNG MIT EINEM HOHEN VAKUUMVERPACKUNGSKAMERSYSTEM AUSGELGETETET, UND DER VAKUUMGRAD CANN EIN PA -WERT VON 10 ° C ERReichEN. Through the linkage of high-efficiency molecular pump and mechanical pump for exhaust, multi-layer sealing structure, gas leakage is prevented, the inner wall of the chamber is polished, and adsorption residues are reduced, so as to ensure the purity of the deposition environment and no oxidation reaction from the source, thereby greatly improving the density and uniformity of the metal layer, which is especially suitable for semiconductors and ceramic substrates for Hochleistungsgeräte extrem Hohen Anforderungen eine Reinheit und Konsistenz.
Diese Ausrotung Verwendet Ein -Prärisions -Kongesteuertes Plasmakellandsystem, Das Automatisch Nachverschistenen Zielmaterialien, Zielcke, Substratform und Position Einstellen Kann. Diese Hochkontrollierbare Ionenquellenstruktur Kann Eine Gleimmäßigere Sputterverteilung von Metallatomen Ereichen, Um Sicherzustellen, Dass Dicke und Oberflächenkonsistenzehler-Metallverbundsuberflat-Schicht-Schastrosuben-Dicke-Aufflächen-Kern-Schach-Schicht als ± 3 �trägt war beunsders für stabile stabile produkion von mahlen oer speziellen ceramic-substraten geeignet ist.
Ähm verarbeitungsbedür Expansionsgrenzfläche unterstütTto-Parallel-Layout mit Doppelstations Oder Mehrfach-Schavitation.
Das Steuerungssystem Kannstem Vielzahl von Prozessparametern Vorstellen und Die Produktargen Schnell Wechseln. Diese struktur verbessert nick nur die flexibilität des gerätsgebauchs, sondern reduziert auch masschinenanpassungszeit und die Manuellen Interventionenkosten Beim Wechsel der Produktmodelle. Es ist Sehr Geeignet für Oem-, WISSENCHAFTILE FORSCHUNDSSTUDIENPRODUKICTIONS-UND MASSENPRODUKTICICTIONSKOMPATILBEL UND PARALLELE PRODUKICTIONSUMGEUMENTE.
Das Halbeiter-Keramik-Substrat-BeschichtungsausrüstungsantriebsneUversorgungssystem nimmt Eine hohe effizienzschaltversorgungs-energiespar-kontrolllogik-Einer, und die Energie des Energyverbrauch-Vergleichshichen-Zummelzömmlens-plattiers-plattiers-plattiers-Verglisters Zummlichen-plattier-plattierung immescömmmlichen-plattierung immescömmulzömmlichen-plattierung immescömmulzömmlichen-plattierung immylenchömmlichen-plattierung immescömmmillen-plattierung immeshichenchömmlichen-plattierung immeshichenchömmlichen-plattierung -30% VERRANKINERT. Geilzeitig Verfügt es über Einen Automatischen Start-Stop-und Standby-optimierungsmechanismus, Die Automatische Lastungsanpassung Nach der ProzessStabilisierung und Reduzierert Denibermäßigen Energyverbrauch. Die optionale Konfiguration mit Mehreren Hohlraum-Verknüpfungen Kannst 24-stunden-nicht-unangenehme Kontinuierlich-Produktion Erreichen. Es ist besonders für Kunden von Keramik -Substratmassenproduktion geeignet, die für den Energieverbrauch des Einheitsausgangs empfindlich sind und hohe Anforderungen an die Effizienz von Schläfen haben, z.